Научно-техническое объединение Автоматика - НТОА

+7 (343) 361-09-39

Заказать звонок

ПАМЯТЬ — ВДВОЕ

Благодаря новой технологии изготовления флэш-памяти вместимость ее удвоится. Ячейка флэш-памяти представляет собой транзистор с двумя изолированными затворами: управляющим и плавающим, который удерживает заряд. К ячейке подведена пара электродов. При записи между ними создается канал — поток электронов. Электроны, обладающие достаточной энергией, преодолевают слой изолятора, окружающий ячейку и попадают на плавающий затвор. Здесь они могут храниться в течение нескольких лет. Определенный заряда на плавающем затворе соответствует логической единице, а все, что больше его, — нулю. Флэш-память энергонезависима — то есть, после записи она не требует дополнительной энергии для сохранения данных. До сих пор увеличение вместимости флэш-памяти в большей или меньшей степени следовало закону Мура, согласно скорость развития технологий позволяет удваивать число транзисторов на чипе каждые 1,5 года. С другой стороны, дальнейшая миниатюризация флэш-накопителей принципиально ограничена необходимостью ограждать отдельные изолированные ячейки памяти от электрического взаимодействия друг с другом. Компания Nanosys сообщила о возможности увеличить вместимость современных элементов флэш-памяти и уменьшить их энергопотребление при записи. Для этого разработчики предлагают использовать для затворов металлические нанокристаллы, и уменьшить размеры необходимого изолятора. Сам по себе этот подход не нов, однако именно в Nanosys, по их словам, адаптировали его для массового производства. Закон Мура, сформулированный еще в 1965 г., безукоризненно действует и по сей день — хотя схемотехники предвидят и принципиальный тупик развития, в котором может оказаться электроника в ближайшее время. Читайте об этом: «Выход из плоского тупика». Нанотехнологии предлагают и другие способы совершенствования элементов памяти — о них мы писали в заметке «Товарищ память». По информации The Future of Things Источник: http://www.popmech.ru